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氮化硅有何特點(diǎn)？等離子表面處理設(shè)備是如何刻蝕氮化硅的？

來(lái)源：普樂(lè)斯瀏覽：次發(fā)布日期：2019-09-18 15:13【大中小】

文章導(dǎo)讀：氮化硅，即Si3N4，是目前較為熱門的新材料之一，其具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特色，在諸多范疇都有運(yùn)用。在晶圓制作中，氮化硅是能夠代替氧化硅使用的。

氮化硅（Si3N4）的材料特點(diǎn)：氮化硅是當(dāng)前較為熱門的新材料之一，具有密度小、硬度大、彈性模量高、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，在諸多范疇都有使用。在晶圓制作中，氮化硅可代替氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圓外表形成十分薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，使用zui為廣泛的描繪薄膜厚度的單位是埃），厚度約在數(shù)十埃，保護(hù)外表，防止劃傷，此外其杰出的絕緣強(qiáng)度和抗氧化才能也能夠很好地達(dá)到阻隔的作用。氮化硅的流動(dòng)性不如氧化物，因此較為難以刻蝕，采用等離子外表處理設(shè)備的刻蝕工藝可以克服刻蝕上的難點(diǎn)。

等離子體刻蝕是通過(guò)化學(xué)作用或者物理作用，又或者是物理和化學(xué)的共同作用來(lái)完成的。反應(yīng)過(guò)程是通過(guò)反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體通過(guò)輝光放電，從而形成包含離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體，因其具有擴(kuò)散性，會(huì)吸附到介質(zhì)的表面，從而與介質(zhì)表面原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)。與此同時(shí)，高能離子會(huì)在一定壓力下對(duì)介質(zhì)表面進(jìn)行物理轟擊以及刻蝕，來(lái)去除再沉積的反應(yīng)產(chǎn)品和聚合物。經(jīng)過(guò)化學(xué)和物理的共同作用來(lái)完成對(duì)介質(zhì)層的刻蝕。

等離子刻蝕在半導(dǎo)體集成電路中的工藝步驟-普樂(lè)斯等離子清洗機(jī)

等離子體刻蝕在晶圓制作工藝中是非常重要的一種，也是微電子IC制作工藝以及微納制作工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，一般是在光刻膠涂布以及光刻顯影之后，通過(guò)將光刻膠作為掩膜，等離子體經(jīng)過(guò)物理濺射和化學(xué)作用來(lái)將我們并不需要的金屬去除，光刻膠在這過(guò)程中就相當(dāng)于反應(yīng)的保護(hù)膜，其意圖是為了構(gòu)成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子表面處理設(shè)備的刻蝕工藝是目前主流的干式刻蝕，因其具有較好的刻蝕速率以及良好的方向性，現(xiàn)在已逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)的濕法刻蝕。

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